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Chips com óxido metálico na função de isolante devem começar a ser fabricados em 2007.
Essa tecnologia, na verdade, não é uma novidade nos laboratórios. A Intel já havia apresentado transistores baseados nela dois anos atrás. Agora, a empresa anuncia que está pronta para começar a integrar os isolantes de óxido metálico (conhecidos como high-k) em seus processadores. A fabricação em escala comercial deve começar em 2007.
O objetivo da Intel - e também de outros fabricantes que desenvolvem pesquisas semelhantes - é encontrar um substituto para o óxido de silício, empregado como isolante nos circuitos integrados.
O uso de um isolante com condutividade mais baixa ajudaria a evitar fugas de corrente, reduzindo o consumo de energia e o aquecimento do processador. Isso deve permitir uma maior miniaturização. A geração de chips que vai sair da fábrica em 2007 deverá ter elementos de 45 nanômetros, metade do tamanho atual.
Além do isolante de óxido metálico, esses chips terão transistores com comporta de eletrodo metálico no lugar do silício policristalino usado atualmente. É outro avanço que deve contribuir para elevar o desempenho.
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